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100V N沟道增强型MOSFET: AP3N10BI,100V/3A N-MOS

型号:
AP3N10BI
制造商:
APM
批号:
AP3N10BI,Trench沟槽N-MOS,100V/3A MOS
描述:
Trench沟槽工艺N-MOS
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库存:
0 PCS
货期:
正常出货
价格:
暂无价格
PDF:
询价数量:
典型应用方案 : 美容雾化,小信号开关MOS,蓄电池保护, Load switch 负载开关,UPS
产品关键字 : N-MOS,APM MPS,台湾永源微,
沟槽类型 : 100V N沟道增强型MOSFET,
极性 : N-MOS,
工艺技术 : 沟槽工艺Trench N-MOS,
最小包装MOQ(Pcs) : 3000PCS,
击穿电压VDS(V) : VDS = 100V,
最大漏源电流ID(A) : ID =2.8 A,
最大驱动电压VGS (±V) : VGS=±20,
ESD静电保护 HBM (KV) : 无静电保护,
导通内阻Rdson @10V(mΩ) : Rdson Max.@10V=310mΩ,
导通内阻Rdson @4.5V(mΩ) : Rdson Max.@4.5V=320mΩ,
开启电压Vgs(th) : Vgs(th).Min.=1.0V,Vgs(th).Typ=1.5V,Vgs(th).Max.=2.5V,
总栅极电荷Qg : Qg=13.6nC,
栅源电荷Qgs : Qgs=2.2nC,
栅漏电荷Qgd : Qgd=2.4nC,
输入结电容Ciss : Ciss=711pF,
输出结电容Coss : Coss=41pF,
反馈结电容Crss : Crss=23pF,
替代型号 : 3N10,
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